论文部分内容阅读
随着电子元件的微型化,巨介电常数材料的研究成为材料科学研究的热点之一,具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点的传统陶瓷材料仍然是研究的重点之一.早在1983 年人们就开始研究单钙钛矿陶瓷SrTiO3 介电现象,其室温介电常数达到20000[1].
Ca2TiMnO6低温介电性能研究
【摘 要】
：
随着电子元件的微型化,巨介电常数材料的研究成为材料科学研究的热点之一,具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点的传统陶瓷材料仍然是研究的重点之一.早在1983 年人们就开始研究单钙钛矿陶瓷SrTiO3 介电现象,其室温介电常数达到20000[1].
【机 构】
：
安徽大学物理与材料科学院介电功能材料实验室 230039
【出 处】
：
中国物理学会2011年秋季学术会议
【发表日期】
：
2011年9期
其他文献
Polar ZnO thin-film transistors (TFTs) with (Bi,Nd)4Ti3O12 (BNT) as well as SiO2 gate insulators were fabricated.The polarization-voltage (P-V) hystersis loops of ZnO/BNT and BNT films and the electri
R-site substitution induced coexistence of two cycloid-phases in multiferroic RMnO3: Monte Carlo sim