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碳化硅(SiC)晶体具有宽禁宽度大、击穿场强高、热导率高、耐辐射、抗腐蚀等优异的特性,是制造大功率、高频、耐高温器件的优选材料[1].同质外延生长是实现SiC 基元器件的关键制成技术之一,目前偏角(3.5°、4°、8°)SiC 同质外延制备技术已经取得了突破性进展,并实现了商业化生产.
低偏角6H-SiC 同质外延生长研究
【摘 要】
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碳化硅(SiC)晶体具有宽禁宽度大、击穿场强高、热导率高、耐辐射、抗腐蚀等优异的特性,是制造大功率、高频、耐高温器件的优选材料[1].同质外延生长是实现SiC 基元器件的关键
【机 构】
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中国科学院上海硅酸研究所,上海市嘉定区城北路215 号,201800
【出 处】
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第十六届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2012年期
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