【摘 要】
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利用电解沉积技术可制备出纳米结构材料,而在电解沉积出的样品中常常含有高密度的生长孪晶.利用电解沉积技术制备的高纯度、高致密度的块状Cu在室温下冷轧后,延伸率高达5100﹪,
【机 构】
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中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室(辽宁沈阳)
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利用电解沉积技术可制备出纳米结构材料,而在电解沉积出的样品中常常含有高密度的生长孪晶.利用电解沉积技术制备的高纯度、高致密度的块状Cu在室温下冷轧后,延伸率高达5100﹪,且冷轧过程中无加工硬化效应产生.本文通过JEM-2010高分辨电镜(HRTEM)观察,研究了这种电解沉积Cu样品的纳米孪晶层在冷轧后的微观结构,探讨了纳米孪晶层对形变的影响.
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