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在不同剂量率的<60>Coγ辐照下，PMOS剂量计阈值电压的响应关系。借助快速I-V亚阈分析技术，获得了辐射感生界面态对剂量率效应的贡献，结果表明：辐照响应有较明显的剂量效应，主要表现为响应的拟合关系式△V<,T>=KD中幂n的变化，在低剂量率区间内值较较大，对应于辐射响应高灵敏度范围；当剂量率增大时，n值减小，响应灵敏度下降。讨论了克服剂量率效应影响其应用的办法。