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对W-G最近提出拓零偏压下具有甚高隧穿磁电阻的双自旋过滤隧道结,针对磁电阻元件研制与应用的需要,计算了此种隧道结的隧穿磁电阻随偏压,铁磁绝缘层厚度以及势垒高度的变化.
双自旋过滤隧道结在有限偏压下的隧穿磁电阻
【摘 要】
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对W-G最近提出拓零偏压下具有甚高隧穿磁电阻的双自旋过滤隧道结,针对磁电阻元件研制与应用的需要,计算了此种隧道结的隧穿磁电阻随偏压,铁磁绝缘层厚度以及势垒高度的变化.
【机 构】
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中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心(北京)
【出 处】
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第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议
【发表日期】
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2001年7期
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