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SiC包覆层是高温气冷堆核燃料元件TRISO包覆颗粒最关键的一层。制备细晶SiC包覆层对阻挡裂变产物释放、提高SiC包覆层承压能力等具有重要意义。本文通过流化床-化学气相沉积方法，在1 550℃条件下，在MTS裂解气体过程中引入脉冲丙烯气体，研究丙烯掺杂对SiC晶粒生长过程的影响。材料表征分析表明通过引入脉冲丙烯气体可以成功制备细晶SiC包覆层，实验研究给出了最佳的丙烯、氢气、氩气、MTS载带气配比，并结合晶体生长机理，给出了细晶制备的过程分析。