论文部分内容阅读
单空穴在反铁磁背景中动力学行为是强关联物理中的重要问题，对单个掺杂粒子的研究可以有助于我们理解有限掺杂的莫特绝缘体引发的高温超导现象。
强关联效应引起的反铁磁体中的电荷局域化
【摘 要】
：
单空穴在反铁磁背景中动力学行为是强关联物理中的重要问题，对单个掺杂粒子的研究可以有助于我们理解有限掺杂的莫特绝缘体引发的高温超导现象。
【机 构】
：
北京市清华大学高等研究院,100084 美国加州大学圣芭芭拉分校卡弗里理论物理研究所,93106-
【出 处】
：
中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
：
2013年11期
其他文献
基于电阻开关效应(RS effect)的电阻型随机存储器(RRAM)具有高速度、高密度、低功耗等优点，近年来引起了人们的广泛关注。在众多物理模型中，导电细丝模型被广泛接受，信息存储通过导电细丝的形成和断裂引发的两个电阻态来实现。
Excitonic characteristics of wurtzite InGaN staggered quantum wells for light-emitting diode applica
Recently,Ⅲ-nitride materials systems have attracted much attention as the active region for light emitting diodes(LEDs)due to their good light-emitting efficacy.
Nearly Constant Electrical Resistance over Large Temperature Range in Interstitially Doped Cu3NMx(M=
Thin films of Cu3NMx(M=Cu,Ag,Au)compounds were grown by magnetron sputtering of metal targets in nitrogen atmosphere,aiming at obtaining single solids of nearly constant electrical resistance in a lar
Topological insulators(TIs),a new state of quantum matter,have recently attracted significant attention,both for their fundamental research interest and for their potential device applications [1–2].
In recent years,wurtzite GaN and related Ⅲ–V compound semiconductors have attracted considerable attention in high-brightness light-emitting diodes(LEDs)and laser diodes(LDs)emitting from the green to
硅材料在半导体产业中具有广阔的应用前景和市场价值.但是，由于硅作为间接带隙半导体材料，其本征跃迁发光效率很低.如果可以提高硅基材料的发光效率——尤其是1.5 μm 附近的光通信波段的发光效率，则对于光互连与光集成都起到积极的作用.
自发现以来[1]，高温超导电性问题经过了20多年的实验和理论研究的积累，目前在理论、实验、模拟上都处于研究汇总和研究方向转变的时期。尽管人们己经对高温铜氧化物超导体进行了大量的研究，但是最基本的一些物理问题依然没有得到明确的结论。