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随着光电子器件在辐射领域的广泛应用，对其辐照研究越来越多。为了研究光电耦合器辐照效应并寻找其损伤表征参量，本文分析了光电耦合器件的电参数变化，并提出了其新的损伤表征参量—噪声无损检测参量。实验结果分析表明，随着辐射增强，光电耦合器件的电流传输比(CTR)下降，集发饱和压降(VCE(sat))上升，电压噪声功率谱密度(SV(f))增加，对于中子辐照，器件噪声中出现明显的爆裂噪声。噪声参量比电参量更能敏感，真实地反映光电耦合器件的辐照损伤。噪声参数可作为光电耦合器件辐照的新的可靠性表征参量。