【摘 要】
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报道了在蓝宝石衬底上采用MOCVD外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构,实现了栅宽为1.2 mm的微波功率管.其栅长为0.8 μ m,采用光学光刻技术实现,在工艺过程中,引入了源场板的结构.
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京,100029
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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报道了在蓝宝石衬底上采用MOCVD外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构,实现了栅宽为1.2 mm的微波功率管.其栅长为0.8 μ m,采用光学光刻技术实现,在工艺过程中,引入了源场板的结构.测试表明,该器件输出电流密度达到0.9 A/mm,跨导250 mS/mm,击穿电压大于100V,截止频率(fT)达到24GHz,最大振荡频率(fmax)为30 GHz,在X波段,8GHz下,连续波测试得到功率增益5dB,输出功率达4W,连续工作30分钟后,输出功率下降0.1dBm。
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