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以植株茎段为外植体,进行了甜樱桃矮化砧木品种吉塞拉6号离体快速繁殖技术研究.结果显示:外植体培养于改良MS+1mg/L ZT+0.5mg/L BA+0.2mg/L NAA+0.5g/L CH,30d后腋芽萌发率达81.3%;丛芽增殖的适宜培养基是:改良MS+0.5mg/L BA+0.5mg/L KT+0.1mg/L NAA+0.01mg/L TDZ,增殖系数达5.8;1/2MS+1.0mg/LIBA+0.2mg/LNAA是诱导甜樱桃试管苗生根的适宜培养基,生根率达98.3%;适宜试管苗移栽的基质是配比为1∶1∶1(v/v/v)的泥炭+椰糠+珍珠岩,试管苗移栽成活率达98%以上.