【摘 要】
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本文以磁控溅射制备的ZnO纳米晶薄膜作为籽晶层,用水热法在80℃氧化铟锡(indum tin oxide, ITO)玻璃衬底上,实现了大面积ZnO纳米线阵列膜的取向生长,制备了3种金属-半导体-金
【机 构】
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西安交通大学电子与信息工程学院,西安,710049
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本文以磁控溅射制备的ZnO纳米晶薄膜作为籽晶层,用水热法在80℃氧化铟锡(indum tin oxide, ITO)玻璃衬底上,实现了大面积ZnO纳米线阵列膜的取向生长,制备了3种金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)结构的ZnO半导体纳米线阵列膜样品,测试了薄膜样品的光学特性和I-V特性.结果表明:在相同的生长液浓度下,籽晶层对所乍长的纳米线尺度分布有显著影响。所制备的纳米线薄膜在室温下具有显著的紫外带边发射特性.ZnO纳米线/Ag和ZnO纳米线/Al的金属-半导体接触均具有明显的Schottky接触特性,而ZnO纳米线,Au的金属-半导体接触具有明显Ohmic接触特性.
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