【摘 要】
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SiC单晶具有广泛的应用领域,是制作高温、高频、抗辐照、大功率电子器件的重要材料.晶片最初的成形是先由晶棒进行切片加工,目前SiC晶体切片普遍采用电镀金刚石线锯切割技术,
【出 处】
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第十二届设计与制造前沿国际会议(ICFDM2016)
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SiC单晶具有广泛的应用领域,是制作高温、高频、抗辐照、大功率电子器件的重要材料.晶片最初的成形是先由晶棒进行切片加工,目前SiC晶体切片普遍采用电镀金刚石线锯切割技术,但随着锯丝直径减小和SiC晶体尺寸增大,锯切区的有效润滑冷却与排屑变得困难,造成切片破碎率提高,切片表面质量和锯丝寿命降低,本项目研究表面金刚石磨粒螺旋排布的新型电镀锯丝切割SiC单晶的基础理论,进行新型电镀金刚石锯丝设计理论及制备技术、锯切性能、SiC晶体锯切机理及工艺参数研究,为实现SiC单晶高质量精密切片提供理论与实验依据.
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