【摘 要】
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本文成功研发了一种colloidal lithography表面patterning的方法，将分布于空气-水界面上的单分子层六边形颗粒pattern成功转移至硅晶片。直径100-750 nm的二氧化硅颗粒先
【机 构】
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中国天津人学化工学院，材料化学工程专业，300072美国俄亥俄州阿克伦人学，高分子科学系，44325-3909
【出 处】
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天津大学2010年博士生论坛化工分论坛
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本文成功研发了一种colloidal lithography表面patterning的方法，将分布于空气-水界面上的单分子层六边形颗粒pattern成功转移至硅晶片。直径100-750 nm的二氧化硅颗粒先在空气-水界面形成六边形非连续pattern(HNCP)，然后用一表面长有聚合物刷的硅晶片吸附转移。转移时在硅晶片表面上会不可避免的带有一层薄薄的水，在水干燥过程中会产生对pattern破坏性的毛细管力。聚合物刷与颗粒间形成粘附，从而克服上述毛细管力，保持颗粒的良好pattern。我们研究了几个影响pattern保持order的重要因素，如聚合物刷的厚度、聚合物刷的组成、颗粒间距和颗粒尺寸。
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