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基于行列矩阵寻址工作方式的场致发射平板显示大器（FED），其阴极场致发射阵列（FEA）和栅极通常安排为一组相互正交的带状[1]，其间以介质薄膜隔离。在Si锥阴极FEA的制作中，我们充分利用了与集成电路（IC）相兼容的工艺进行带状FEAs阵列的制作，由于与成熟的IC工艺相兼容，保证了较高的成品率。