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通过电镀的方法将Si衬底GaN LED薄膜分别转移至铜铬、铜镍基板上，并制备成不同电镀基板的LED芯片。研究发现，铜镍基板LED芯片较铜铬基板droop效应得到改善，说明铜镍基板LED芯片具有更好的散热性能;高分辨XRD结果显示铜铬基板LED薄膜受残余张应力作用，而铜镍基板LED薄膜则受压应力作用。表明在LED工作状态下铜镍基板LED芯片具有更优良的力学性能;铜镍基板LED芯片的波长漂移较铜铬基板更小，且经过900mA常温老化192h后，芯片电学性能稳定。结果表明，铜镍基板LED芯片较铜铬基板具有更优良的力、热、光、电特性。