Ga-N共掺n-ZnO纳米线合成

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yueliangjing

【摘要】

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氧化锌(ZnO)和GaN 同属于六方纤锌矿结构,而且ZnO 室温下的激子束缚能为60 meV,制备方法多样化,分布广泛,有望取代GaN 成为新一代光电器件原料。本征ZnO 为n 型半导体,光致发光(photoluminescence,PL)包括两个波段：紫外光(～380 nm)和绿光(500 nm左右),紫外光发射来源于近带边(near-band edge,NBE)复合发光,绿光发射来源于缺陷态(

【作者】

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娄猛张明光张翔晖顾豪爽

【机构】

：

湖北大学物理与电子科学学院,微纳传感材料与器件课题组,湖北省铁电压电材料与器件重点实验室,武汉 430062

【出处】

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中国物理学会2016年秋季会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

ZnO纳米线 Ga-Ncodoped

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