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本研究利用冷等离子体法制备了独立存在的掺磷(P)的锗纳米晶体，将其分散在合适的溶剂中得到了锗纳米晶体墨水。以表面带有二氧化硅层的重掺硅片为衬底，将锗纳米晶体墨水旋涂成膜，可获得均匀连续的锗纳米晶体薄膜。随后热蒸发制备铝电极、封装，即制备了基于掺P的锗纳米晶体的场效应晶体管(FET)。
基于掺磷锗纳米晶体的场效应晶体管
【摘 要】
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本研究利用冷等离子体法制备了独立存在的掺磷(P)的锗纳米晶体，将其分散在合适的溶剂中得到了锗纳米晶体墨水。以表面带有二氧化硅层的重掺硅片为衬底，将锗纳米晶体墨水旋
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学院,杭州310027
【出 处】
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中国物理学会2015年秋季会议
【发表日期】
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2015年期
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