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采用射频磁控溅射方法在非晶SiO2上镀制TiN薄膜,通过在空气中、350℃下,不同退火时间(分别为15,30,45,60,75,90,105,120 min)氧化得到一系列带隙可调的TiO2-TiN复合薄膜,使用X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)表征薄膜成分与结构,使用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜形貌.薄膜结构和形貌结果表明,TiN薄膜实现光学带隙从1.68~3.23eV可调;可见光光催化实验结果表明,复合薄膜催化性能与带隙相关.