由三极管发射结正向伏安特性测量e/k比值和内建电势

来源 :第六届全国高等学校物理实验教学研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hangarfield
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由3DK7B三极管发射结正向伏安曲线测量e/k值、理想化因子和内建电势。发射结电流在数微安情况下,测量得到的e/k值与标准值偏差约-4%~3%。理想化因子在0.96~1.03之间,平均值为1.00。在弱的发射结电流情况下理想化因子可以视为1。温度因子取0.5,计算得到内建电势约1.14V。
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