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该工作试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现InAl（Ga）As：InP和INGaAs：InAlAs择腐蚀，达到了较好的效果，且工艺重复性好。同一单片上MSM光探测器的光响应度可达到O.5A/W，HEMT器件最大跨导为305mS/mm，最大饱和电流密度是350mA/mm。完成了实现OEIC光接收机的关键一步。