高频铜箔绕组中的最佳气隙设计

来源 :中国电子学会元件分会电子变压器专业委员会2000年第十届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:johnlu888
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由于趋肤、邻近、边缘以及其它交流效应,在变压器和电感器绕组中通常会引起高频交流损耗。此外,绕组结构会大大地影响绕组内损耗和分布。通常在磁性器件的磁心中设置了气隙,以维持高的磁动势(mmf)。由于边缘场会引起绕组附加的交流损耗,因此务必注意减少附加损耗。该文将研究气隙设计对所引起损耗的影响。特别是将研究并估算三种气隙的设计,即集总气隙、离散分布气隙和均匀分布气隙。采用一维9I-D)分析法和有限元分析法研究了不同的设计结构。
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