沉积气压和衬底温度对射频磁控溅射法制备的Mo薄膜结构特性及电学特性的影响

来源 :第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：vgbin2

【摘要】

：

本文采用射频磁控溅射法制备了铜铟镓硒(CIGS)电池中的金属钼(Mo)背电极,通过改变溅射气压(2 mTorr-12 mTorr)和衬底温度(室温--250 ℃),研究单层Mo 膜的结构特性和电学特性的变化。利用AFM,SEM,XRD 和Hall 等测试手段对薄膜进行了表面形貌、微观结构和电学特性的测试。

【作者】

：

贺瑞霞张晓丹张力孙建张德坤魏长春赵颖

【机构】

：

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

【出处】

：

第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

【发表日期】

：

2014年5期

【关键词】

：

射频磁控溅射 Mo薄膜气压温度 CIGS

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