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近几年聚辛基芴(PFO)作为共轭聚合物LED 蓝光材料由于具有较好的电荷传输特性而得到广泛研究和关注.其薄膜在不同相态表现出LUMO 能级差异(如非晶相、α相、β相),这些能级差异同时也导致薄膜的自掺杂效应.然而紫外光电子能谱只能离位大尺度上表征这些能级变化,因此研究需要新的表征手段.我们用开尔文力显微镜(KPFM)方法观察到非晶相聚辛基芴薄膜和120 oC 退火后的薄膜表现出0.067 eV 的表面电势差,对应着薄膜在退火过程中生成的α相.