薄膜硅/晶体硅径向异质结的研究

• 作 者: 董刚强[1]刘丰珍[1]刘静[2]朱美芳[1]
• 机 构: 中国科学院研究生院,北京 100049
• 出 处: 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
• 发表日期: 2012年期

本文用自组装微球做膜板,通过反应离子刻蚀(RIE)技术,在晶硅衬底上制备了大小均一、排布高度有序的纳米棒阵列,获得了反射率较低的表面.采用热丝化学气相沉积(HWCVD)工艺,在纳米棒阵列上制备了径向结构的pn 结.扫描电镜图像显示,非晶薄膜硅和透明导电膜层都实现了良好的保角覆盖.通过拟合暗I-V 曲线,分析了原子H 预处理对不同结构衬底钝化的影响.