室温连续工作Ge基InAs量子点激光器

• 作 者: 龚谦[1] 曹春芳[1] 严进一[1] 赵旭熠[1] 王海龙[2] 周长帅[2] 杨维凯[2]
• 机 构: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050曲阜师范大学物理系,曲阜273165
• 出 处: 第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
• 发表日期: 2017年5期
• 关键词: 锗基量子点激光器 砷化铟薄膜材料 制备工艺 波长特性

光子是信息系统依赖的一种重要信息载体,在高速信息传递方面具有不可替代的地位.另一方面,随着超大规模集成电路的发展,电子信息系统在信息处理功能和规模方面已经具有很高的成熟度.如果能将二者的优势在芯片间或芯片内相结合,无疑会大大提高信息系统的性能.主要研究了利用分子束外延技术来实现GaAs材料和Ge/Si材料的集成。该方案中的材料制备由两个部分组成：第一部分是在Si衬底上制备弛豫的Ge晶体薄膜材料；第二部分是在Ge/Si衬底上外延制备GaAs材料。这样就可以实现从间接带隙材料(Si)过渡到直接带隙材料（Ⅲ-Ⅴ），从而在Si基上制备激光光源。本报告中将重点介绍第二个部分，即在Ge薄膜上外延GaAs材料和InAs量子点激光器结构，并对室温连续工作Ge基激光器的性能进行分析。