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Er3+Yb3+双掺Gd2SiO5和Lu2Si2O7晶体的上转换发光
【机 构】
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中国科学院福建物质结构研究所,福建福州350002
【出 处】
:
第十八届全国凝聚态光学性质学术会议
【发表日期】
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2016年8期
其他文献
本文利用第一性原理方法计算了边缘氢化和氟化的锯齿型GaN 纳米带(zGaNNRs)的电学和磁学特性。文中讨论五种氢化结构和四种氟化结构,不同的结构展现了不同的电学和磁学性