【摘 要】
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本文以SnCl4·5H2O、SbCl3和La2O3为原料制备了La和Sb掺杂SnO2纳米导电粉体。在800℃灼烧后的La和Sb掺杂SnO2导电粉体的粒径大约为20-30nm,La和Sb掺杂SnO2导电粉体的电阻率为
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,上海 200436 上海应用技术学院化工系,上海 200235
【出 处】
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第三届上海纳米科技与产业发展研讨会
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本文以SnCl4·5H2O、SbCl3和La2O3为原料制备了La和Sb掺杂SnO2纳米导电粉体。在800℃灼烧后的La和Sb掺杂SnO2导电粉体的粒径大约为20-30nm,La和Sb掺杂SnO2导电粉体的电阻率为0.29Ω·cm。La和Sb掺杂SnO2粉体在718.73-615.65 cm(-1)范围,有一个宽的吸收峰,在4000-2000 cm(-1)范围有强吸收。
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