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该文详细研究了AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件和层厚对AlAs薄层横向氧化速率的影响，得到了可精确控制氧化速率和氧化结果均匀性的工艺条件，并运用湿氮氧化制备出低阈值的InGaAs垂直腔面发射激光器。
对AlAs薄层横向选择氧化速率的研究
【摘 要】
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该文详细研究了AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件和层厚对AlAs薄层横向氧化速率的影响，得到了可精确控制氧化速率和氧化结果均匀性的工艺条件，并运用湿氮氧化制备出低阈值的InGaAs
【机 构】
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科学院半导体研究所国家光电子工艺研究中心(北京)
【出 处】
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第六届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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1998年期
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