【摘 要】
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以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂制备有序介孔氧化硅薄膜,考察了分子模板剂脱除方法对介孔氧化硅薄膜微观结构有序性的影响.结果表明:采用500
【机 构】
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国防科技大学机电工程与自动化学院,长沙,410073
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以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂制备有序介孔氧化硅薄膜,考察了分子模板剂脱除方法对介孔氧化硅薄膜微观结构有序性的影响.结果表明:采用500℃煅烧处理可以有效地去除分子模板剂,但对薄膜网络结构的破坏作用比较大,薄膜的有序性变差;而采用异丙醇(IPA)和HCl的混合萃取结合超临界流体干燥工艺能够有效地去除分子模板剂,同时对薄膜网络结构的破坏作用小,薄膜的有序性比较好。
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