模板诱导α-W的形成以及W膜残余应力与电阻率的尺寸效应

• 作 者: 刘明霞;黄友兰;马飞;徐可为;
• 机 构: 陕西省西安交通大学强度国家重点实验室，西安，710049
• 出 处: 中国科协第四届优秀博士生学术年会
• 发表日期: 2006年期

以模板效应为手段，在单晶Si和Mo模板上制备了不同相结构的W膜。采用X射线衍射和场发射扫描电镜分析薄膜微结构，偏振相位移法和四点探针技术分析薄膜残余应力与电阻率。结果表明：Mo膜的模板效应诱导形成等轴晶α-W，而沉积在Si上的为非等轴晶β-W亚稳相；随膜厚增加，薄膜残余应力和电阻率均呈现一定的尺寸效应。结合XRD和扫描电镜结果，从晶粒尺寸和异质界面的约束两个角度对不同相结构W膜的尺寸效应进行了分析。