【摘 要】
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本文考虑到电场对AlGaN/AlN/GaN HFETs中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,对低场迁移率模型进行了修正。基于quasi-2-D模型,对AlGaN/AlN/GaN HFETs的I-V特性进行了模拟计算,结果表明,使用修正后的迁移率模型计算得到的I-V特性与测试曲线拟合得较好。对线性区内2DEG电子迁移率随漏源偏压和沟道电场的变化进行了分析,发现在较高的漏源偏压和沟道电场下,应变极化梯
【机 构】
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School of Physics, Shandong University, Jinan.250100, China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文考虑到电场对AlGaN/AlN/GaN HFETs中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,对低场迁移率模型进行了修正。基于quasi-2-D模型,对AlGaN/AlN/GaN HFETs的I-V特性进行了模拟计算,结果表明,使用修正后的迁移率模型计算得到的I-V特性与测试曲线拟合得较好。对线性区内2DEG电子迁移率随漏源偏压和沟道电场的变化进行了分析,发现在较高的漏源偏压和沟道电场下,应变极化梯度库仑场散射对AlGaN/AlN/GaN HFETs的电子迁移率仍起重要作用,随漏源偏压和沟道电场的增加,2DEG面密度降低,极化梯度库仑场散射增强,迁移率降低。此外,栅长不同,应变极化梯度库仑场散射的影响也不同。
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介绍了两个致力于推进网络视频监控标准化工作的国际团体组织ONVIF和PSIA的相关背景知识，分析了它们各自推出的网络视频监控的相关标准，阐述了这两个团体组织标准之间的—些相同和不同点，并在此基础上对中国网络视频监控的发展和标准化之路提出了看法。
视频会议系统中会议服务器决定着会议的稳定性、规模和质量。通过研究SIP协议、SIP协议实体和SIP视频会议中服务器的结构等，对现有结构和服务器进行了改进和设计。采用负载均衡方法，提高了系统动态自适应能力，扩大了视频会议的规模。利用SIP消息分发以及优先处理机制，进一步提高了视频会议服务器的消息处理效率，以解决消息并发和消息拥塞的问题，提高系统的可靠性。
视频会议能够给人们直观、真实的交流效果，提高人们的工作效率，受到了越来越多的企业和研究机构的重视。介绍了视频会议的发展现状；分析和研究了WebRTC技术、SIP协议及现有的SIP视频会议系统的框架和模型、Asterisk系统结构、Zaptel、FFmpeg等，并对其进行改进；实现了一个普通网络环境下的软件视频会议系统，该系统具有扩展性好、价格低廉、稳定可靠、带宽利用率高等特点。
随着GaN基HFET器件的应用逐渐向毫米波和亚毫米波推进,高寄生电阻和短沟道效应等问题日益突出。(In)AlN/GaN异质结可以在较薄势垒层厚度下实现高的2DEG浓度,可以同时兼顾低寄生电阻和较好的栅控能力,可以有效缓解以上问题,因此(In)AlN/GaN异质结材料日益成为学术界和工业界新的研究热点。 本实验室采用MOCVD技术实现了高性能(In)AlN/GaN异质结材料,并进行了器件制备和表征
In组分为17％的InAlN/GaN HEMT晶格匹配，自发极化较强，非常适于高频毫米波功率器件的制备，是近几年的国际研究热点之一。本文对InAlN/AlN/GaN HEMT结构进行理论分析，在材料生长、测试分析、器件研制等方面开展了一系列研究工作。
以GaN为代表的氮化物半导体由于具有宽禁带宽度、高击穿场强、强极化效应等材料特性,特别是GaN异质结构中极高密度的二维电子气特性,共同促使氮化物半导体成为制造微波毫米波功率器件和高压电力电子器件的理想技术之一。然而在氮化物半导体器件中,如何在高电压、高结温下控制高密度二维电子气的输运存在很多困难,比如二维电子密度过高、温度过高或电压过高时,很多二维电子都会从异质结界面沟道中溢出,成为三维电子,导致
利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形AlGaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性，发现由AlGaN/AlN/GaN界面极化电荷密度变化引起的极化库仑场散射与欧姆接触工艺息息相关，而且边欧姆接触大大降低了AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中的极化库仑场散射。
基于氮化镓(GaN)的共振遂穿二极管(RTD)在高场下,有着高频率和高输出功率密度的特性,所以RTD有希望在太赫兹辐射和检测领域发挥重要作用。汇报在室温下基于铟铝氮(InAlN)/GaNRTD的仿真,并向InAlN/GaN/InAlN量子阱里引入缺陷能级,来研究负阻特性变化的趋势,并和传统铝稼氮(AlGaN)/GaN RTD相比较。仿真结果显示,当缺陷密度大于lO9 cm-3时,InAlN/GaN
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