【摘 要】
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本文对直流磁控反应溅射制备氧化钒薄膜进行了研究.用转靶X射线衍射(XRS),X光电子能谱(XPS)对薄膜的结构,组分进行了测试.实验结果表明;制备条件(衬底温度、反应气体化、靶与
【机 构】
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重庆光电技术研究所(重庆)电子科技大学(成都)
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本文对直流磁控反应溅射制备氧化钒薄膜进行了研究.用转靶X射线衍射(XRS),X光电子能谱(XPS)对薄膜的结构,组分进行了测试.实验结果表明;制备条件(衬底温度、反应气体化、靶与衬底的间距、磁控溅射功率等)影响氧化钒薄膜的结构和性能.氧化钒薄膜的结构,组分决定了薄膜的电阻温度系数(TCR).给出了反应溅射制备性能优良的氧化钒热敏材料的典型工艺条件.
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