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报道了两种结构的ＩｎＰ基赝晶ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＧａＡｓ ＨＥＭＴ材料及器件的设计与制作基础工艺，实现了直流特性良好，最大跨导分别高达５５０ｍＳ／ｍｍ和７５０ｍＳ／ｍｍ的器件样品。
InAlAs/InGaAs赝晶HEMT
【摘 要】
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报道了两种结构的ＩｎＰ基赝晶ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＧａＡｓ ＨＥＭＴ材料及器件的设计与制作基础工艺，实现了直流特性良好，最大跨导分别高达５５０ｍＳ／ｍｍ和７５０ｍＳ／ｍｍ的器件样品。
【机 构】
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工业部第十三研究所
【出 处】
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
【发表日期】
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1996年期
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