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静态随机存储器(SRAM)越来越多地被当作宏模块使用，它的时序模型在很大程度上制约着后端物理设计。针对SRAM的时序特征参数提取速度慢的问题，提出了一种基于线性插值的SRAM输出端口Q延时时间的快速生成算法。此算法是基于一款130nm商用工艺单端口SRAM结构的规整性和容量变化的规律性，运用了一维线性分段函数的思想，快速生成Q端口延迟信息。实验数据表明：算法生成的数据误差在允许范围内，该算法能在生成时序参数的速度和精度之间做出权衡。