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基于粒子数分辨的非马尔科夫四阶量子主方程和薛定谔瑞利微扰理论，建立了共隧穿极限下计算单分子体系的电子全计数统计理论，研究了单分子体系的量子相干性，即系统的约化密度矩阵非对角元，以及电子的共隧穿过程对其高阶电流累积矩的影响。数值结果表明，在共隧穿极限下(顺序隧穿和共隧穿过程均被考虑参与量子输运)，对于具有强量子相干性的单分子体系，即使在顺序隧穿过程占主导地位的偏压区域内，共隧穿过程也会对高阶电流累积矩产生重要影响。此特性依赖于单分子体系与源极漏极的耦合强度大小、单分子体系与源极漏极的耦合不对称性以及该系统的温度。上述研究结果可以帮助人们更准确地理解电子通过单分子体系的隧穿过程及其量子输运特性。