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该探测器采用小平面型,用于探测低能α—γ射线。制作的基本工序有五个:制作n[*+*]接触;p[*+*]接触;造形;表面处理;封装。在295℃真空中,由铀扩散形成n[*+*]接触,扩散层的厚度约为350~450μm;由真空蒸发钯形成p[*+*]接触,钯层厚度约为500~70A;为提高探测器的耐压性能,使用保护环结构,环宽为1.8mm,槽底到钯面约为1.0mm;表面处理使用所谓标准法,经HNO[*v3*]:HF=3:1的溶液腐蚀在甲醇中煮沸5~10分钟,然后迅速封装在冷指里抽真空。该文介绍了这种探测器的电性能、核性能、对[**]Am源的低能α射线的测量结果,以及温度循环能力。(王太和摘)