高声速SAW复合压电薄膜研究

• 作 者: 陈运祥;谭学斌;唐代华;李洪平;李燕;赵雪梅;张永川;
• 机 构: 中国电子科技集团公司第26研究所,重庆 400060
• 出 处: 2009年中国西部地区声学学术交流会
• 发表日期: 2009年期

本文阐述了高声速SAW复合压电薄膜材料SiO2/Al/ZnO/IDT/金刚石/Si的研究进展情况,给出了该复合结构压电材料的制作方法和实验结果。φ2"金刚石/Si材料表面粗糙度达到0.89nm,金刚石膜晶粒粒度在5～10 μm范围。ZnO膜体电阻率ρ,达到1.9×109 Ω.cm。ZnO薄膜C轴垂直取向度2σ达到2.7°。用该压电材料制作出了SAW滤波器,西沙瓦(Sezawa)波模式相速度Vp达11106m/s,器件频率达到3.1GHz。