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ｎ－Ｓｉ为衬底，用ＰＥＣＶＤ方法淀积了多晶金刚石薄膜，该薄膜具有很好的发射特性，在６Ｖ／μｍ的电场下，场发射电流为５μＡ。由薄膜场发射的实验曲线计算得到场发射的有效势垒随外加电场的变化而变化，而且在有效势垒的曲线中存在的一段平台。从理论上对这种现象进行了研究，确定了电子从Ｓｉ衬底注入金刚石薄膜的方式，认为有效势垒的平台效应是由于缺陷能级在金刚石禁带中分布不均匀所致，并由此建立在注入限制情况下本征多晶金刚石的场发射模型。根据模型计算得到有效势垒的理论曲线与实验曲线反映了相同的变化规律。