【摘 要】
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多孔硅(poroussilicon,PS)材料由于具有高效率的发光特性被认为有着巨大的应用前景而被广泛研究.本文选择N〈100〉(0.04-0.15Ω·cm)单晶硅在20.5℃下探索了PS的制备工艺,得
【机 构】
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上海应用技术学院,200233;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,200050哈尔滨工程大学,150001上海应用技术学院,200233
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多孔硅(poroussilicon,PS)材料由于具有高效率的发光特性被认为有着巨大的应用前景而被广泛研究.本文选择N〈100〉(0.04-0.15Ω·cm)单晶硅在20.5℃下探索了PS的制备工艺,得到了具有较强导电能力、一定机械强度、孔隙率近40％、厚度为50-60μm、大孔径、直孔的PS膜;再在PS膜上溅射金属、喷涂Pt/C催化剂后,在0.5MH2SO4溶液中进行了循环伏安测试.
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