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分别采用聚酰亚胺和ＣＶＤＳｉＯ〈，２〉作层间介质，对２＊２μｍ〈’２〉通孔的刻蚀和铝双层布线导通的成品率能达到１００℅，介质对一次铝的覆盖完整率可达９５℅以上，层间绝缘电压大于２５０Ｖ。
2*2μm<'2>通孔的双层布线技术
【摘 要】
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分别采用聚酰亚胺和ＣＶＤＳｉＯ〈，２〉作层间介质，对２＊２μｍ〈’２〉通孔的刻蚀和铝双层布线导通的成品率能达到１００℅，介质对一次铝的覆盖完整率可达９５℅以上，层间绝缘电压大于２５０Ｖ。
【机 构】
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二十四所(重庆)
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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