半导体金属化布线电徙动温度特性研究

• 作 者: 李志国;郭伟玲;
• 机 构: 工业大学电子工程系
• 出 处: 第七届全国可靠性物理学术讨论会
• 发表日期: 1997年期
• 关键词: 电徙动失效 半导体器件 超大规模集成电路

电徒动失效是ＶＬＳＩ金属化系统的主要失效形式。该文提出了一种新型ＴｉＷ膜自加热结构，产生沿金属化条长方向的温度梯度。文中采用分别独立的试验和测温金属条结构，利用电阻与温度间的线性关系精确确定金属条上的温度分布，首次从理论和实验上深入研究了电徙动失效与温度梯度间的动力学关系。实验结果表明，在２０－３５℃的温度梯度作用下，电徙动平均失效时间、空洞失效位置和电徙动电阻变化呈现新的特性。