【摘 要】
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BiVO4作为铁电材料和无毒的环境友好颜料曾被广泛研究,近年来由于mBiVO4在可见光范围具有很好的吸收,而且其价带氧化电位位于2.4V附近,具有较高氧化能力,因此其光催化特性引
【机 构】
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中山大学化学与化工学院;南方医科大学药学院中山大学化学与化工学院中山大学化学与化工学院东莞市海洋与渔业环境监测站中山大学环境科学与工程学院
【出 处】
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2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议
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BiVO4作为铁电材料和无毒的环境友好颜料曾被广泛研究,近年来由于mBiVO4在可见光范围具有很好的吸收,而且其价带氧化电位位于2.4V附近,具有较高氧化能力,因此其光催化特性引起了人们极大兴趣.然而mBiVO4的导带边位于0 V(vs.NHE),致使其光生电子的能量不足以还原H+,而且其光生电子也不容易被空气中的氧气捕获,因此会导致光生电子在催化剂表面积累,增加电子与空穴的复合几率,使mBiVO4在可见光下降解有机物的效率较差.因此在这种情况下快速捕获光激发电子,抑制其与高能空穴的复合,对提高此类光催化剂可见光催化降解污染物的效率是至关重要的.为了提高BiVO4的光催化效率,我们开展了多方面的研究工作.本文探讨了铜在mBiVO4薄膜的沉积及其对它的表面修饰和光电调控作用。
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