【摘 要】
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利用湿法腐蚀的方法，制备出图形化蓝宝石衬底(PSS)。通过浓硫酸和浓磷酸混合液高温腐蚀制备出柱状图形和锥状图形，并研究其表面形貌特点和GaN外延后的影响。扫描电镜(SEM)观察显示。柱状与锥状图形的阵列排布都非常整齐，且方向一致。高分辨X-Ray射线摇摆曲线结果表明，图形衬底可以提高晶体质量，柱状图形对晶体质量的提升更为明显。对PSS上外延的GaN-LED进行光致发光(PL)谱测试，柱状图形衬底的
【机 构】
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山东大学晶体材料国家重点实验室 济南市山大南路27号 250100 山东华光光电子有限公司 济南市天辰大街1835号 250101
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利用湿法腐蚀的方法，制备出图形化蓝宝石衬底(PSS)。通过浓硫酸和浓磷酸混合液高温腐蚀制备出柱状图形和锥状图形，并研究其表面形貌特点和GaN外延后的影响。扫描电镜(SEM)观察显示。柱状与锥状图形的阵列排布都非常整齐，且方向一致。高分辨X-Ray射线摇摆曲线结果表明，图形衬底可以提高晶体质量，柱状图形对晶体质量的提升更为明显。对PSS上外延的GaN-LED进行光致发光(PL)谱测试，柱状图形衬底的法向光强明显高于锥状图形和普通衬底。将LED外延片制备管芯。柱状图形衬底和锥状图形衬底比普通衬底的法向光强分别提高150％和25％o光输出功率测试，分别提高20％和16％。
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