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过渡族金属(TM,Transition Metal)掺杂的II-VI 化合物半导体在2～3μm 波段展现出较佳的中红外发光性能,Cr2+离子掺杂的硒化锌(ZnSe:Cr2+)就是其中引人瞩目的材料,在气体检测、大气遥感、激光通信等领域有着广泛的应用前景.
气相生长ZnSe:Cr2+晶体及其性能研究
【摘 要】
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过渡族金属(TM,Transition Metal)掺杂的II-VI 化合物半导体在2～3μm 波段展现出较佳的中红外发光性能,Cr2+离子掺杂的硒化锌(ZnSe:Cr2+)就是其中引人瞩目的材料,在气体检测、大气遥感、激光通信等领域有着广泛的应用前景.
【机 构】
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西北工业大学 材料学院 凝固技术国家重点实验室陕西 西安 710072
【出 处】
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第十六届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2012年8期
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