【摘 要】
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随着集成电路工艺进入纳米工艺时代,集成度与工作频率的增加,伴随性能提高的是不断增加的功耗与功耗密度,不仅拉低供电网络的供电电压,而且升高了内核温度,其直接后果是增加
【机 构】
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北京师范大学信息科学与技术学院,中国 北京 100875
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随着集成电路工艺进入纳米工艺时代,集成度与工作频率的增加,伴随性能提高的是不断增加的功耗与功耗密度,不仅拉低供电网络的供电电压,而且升高了内核温度,其直接后果是增加了电路时延,降低芯片的性能,所以在芯片设计中,必须对芯片功耗、供电网络、热分析进行快速而精确的电热分析(Electro-thermal analysis).同时漏电流功耗随工作温度升高而明显增加所造成的电热耦合(Electro-thermal Coupling)效应,纳米工艺所带来的较大工艺参数变化,都提高了电热分析的难度.文章不仅给出了电热参量(功耗、供电电压和内核温度)对IDDQ、时延测试、软故障的影响,而且进一步阐述了纳米工艺下、日益显著的工艺参数变化对电热分析和芯片测试所带来的挑战。
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