【摘 要】
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在非磁性材料中产生铁磁性是近期材料研究的热点之一:从石墨到非磁性氧化物以及宽禁带氮化物都观察到了由缺陷引起的磁性.现在对于磁性的来源和机制并不完全清楚,同时对于缺
【机 构】
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北京大学核物理与核技术国家重点实验室，北京100871，中国;德国亥姆霍兹德累斯顿-罗森道夫研究中心，离子束物理与材料研究，德累斯顿01314，德国北京大学核物理与核技术国家重点实验室，北京10087
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在非磁性材料中产生铁磁性是近期材料研究的热点之一:从石墨到非磁性氧化物以及宽禁带氮化物都观察到了由缺陷引起的磁性.现在对于磁性的来源和机制并不完全清楚,同时对于缺陷引起的磁性也产生了很多的理论模型.SiC是一种成熟的半导体,非常适合作为检验缺陷引起铁磁性各种理论预言的平台.我们采用离子束手段详细地研究了磁性产生和衰退的过程,证明了磁性来源于由注入(即使注入惰性气体Ne离子)引起的VSiVC双空穴.随着辐照剂量的增加,SiC材料最初显示了相应增强的铁磁性,该铁磁性在室温时也非常明显.随着进一步缺陷的增加,饱和磁化强度被逐渐降低,同时伴随着晶体结构非晶化的过程.
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