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Si2p3/2态峰位的化学位移量与截止边的化学位移量(UPS谱线的化学位移量)非常接近，如果选择刻蚀后Si2p3/2态的峰位99.24eV作为标准峰位，这与之前报道的Si2p3/2标准峰位一致，那么直接利用XPS测试硅片表面Si2p态，得到存在化学偏移的Si2p3/2峰位，计算出化学平移量，作为功函数测量的参考值是可行的一种做法。再利用UPS直接测得硅片表面的价带谱，将价带谱（截止边）进行适当平移（与Si2p3/2平移量相同），就可推算得到太阳能级单晶硅片的表面功函数：n-Si和p-Si的表面功函数分别为4.28和5.01eV。