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研究了扫描光致发光光谱(PL mapping)在表征半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料中的应用 ，实验结果表明SI-GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系，所以在为制备器件筛选优质的SI-GaAs材料时，除了电阻率、迁移率、位错密度、碳含量、EL2浓度及其均匀性、晶片表面质量外，PL mapping也是表征材料质量的一个重要参数。