【摘 要】
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光感生电流测量技术是一种可用于分析半导体中p-n结分布的非破坏性方法.光感生电流测量技术通过测量光电流的变化,可以在微米尺度上直接观察到反向电压作用下高压p-n结电场的
【机 构】
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上海交通大学电气工程系高压教研室,200030
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光感生电流测量技术是一种可用于分析半导体中p-n结分布的非破坏性方法.光感生电流测量技术通过测量光电流的变化,可以在微米尺度上直接观察到反向电压作用下高压p-n结电场的变化.本文通过测量p-n结表面耗尽区的扩展,利用电场模拟计算,研究分析了硅器件表面钝化保护材料与硅界面间电荷对表面耗尽区宽度的影响,并对该电荷的大小进行了计算.界面等效电荷对p-n结电场集中的影响给出了实验结果.
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