衬底温度对ZnO∶Mn薄膜结构及光电性质的影响

• 作 者: 杨天勇[1]孔春阳[1]阮海波[2]秦国平[3]黄桂娟[1]李万俊[1]梁薇薇[1]孟详丹[1]赵永红[1]方亮[2]
• 机 构: 重庆师范大学光学工程重点实验室,重庆,中国,400047
• 出 处: 2011中国功能材料科技与产业高层论坛
• 发表日期: 2011年期

ZnO是一种具有六角纤锌矿结构的直接宽带隙半导体材料，常温下带宽为3.3eV，激子束缚能高达60meV，具有很好的光电和压电特性，在紫外发光器件、紫外激光器件、压电器件、太阳能电池、透明导电薄膜等诸多方面都具有广泛的应用前景.采用射频磁控溅射法在不同衬底温度下制备了ZnO:Mn薄膜,借助X射线衍射、场发射扫描电镜、荧光光谱、霍尔测试等手段分析了衬底温度对薄膜结构及光电性质的影响.研究表明衬底温度的升高不仅可以改善薄膜的结晶质量和表面形貌,提高薄膜的带边发射(NBE),而且在一定程度上还能够抑制Zn填隙及其相关缺陷的生成.薄膜中缺陷浓度的变化对样品的电学性能有着一定的影响。